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820°C的Al–Si–C系统中6H-SiC和3C-SiC的合成和生长：反应路径对SiC多晶型的影响
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2020-01-13 , DOI: 10.1021/acs.cgd.9b01394 Chongchong Wu 1 , Tong Gao 1 , Jinfeng Nie 2 , Xiangfa Liu 1
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2020-01-13 , DOI: 10.1021/acs.cgd.9b01394 Chongchong Wu 1 , Tong Gao 1 , Jinfeng Nie 2 , Xiangfa Liu 1
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SiC的许多特性取决于多型性。在目前的工作中，研究了反应路径对SiC多晶型的影响。在Al–Si–C系统中，在820°C下制备了两种SiC颗粒。结果表明，通过液固反应和中间合金法分别获得了具有六方结构的6H-SiC和具有面心立方结构的3C-SiC。进一步的研究表明，以石墨为前驱物通过一步反应形成6H-SiC，而通过Al 4 C 3进行两步反应合成3C-SiC。作为中间产物和前体。不同的反应路径和前驱物导致不同的生长过程。6H-SiC是在多核多层生长机制下生长的，而3C-SiC是通过Al 4 C 3的多区域转变生长的。
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更新日期：2020-01-14
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