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铜晶粒尺寸对Sn / Cu接头界面微观结构的影响
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2020-01-13 , DOI: 10.1021/acsaelm.9b00720 Po-Fan Chan, Hsuan Lee, Shih-I Wen, Mao-Chun Hung, Chih-Ming Chen, Wei-Ping Dow
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2020-01-13 , DOI: 10.1021/acsaelm.9b00720 Po-Fan Chan, Hsuan Lee, Shih-I Wen, Mao-Chun Hung, Chih-Ming Chen, Wei-Ping Dow
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为了追求更全面的在Sn / Cu界面形成空隙的机制，对具有和没有孪生边界的不同晶粒度的Cu样品进行电沉积，以进行Sn / Cu接头和IMC分析。Sn / Cu接头中形成的空隙分为三个部分进行讨论：Cu扩散，Sn扩散和杂质扩散。对于在Cu / Cu 3处形成空隙Sn界面，其机理的概念来自Kirkendall效应，在此研究中，该界面特别关注于Cu晶界和铜晶格之间的Cu扩散速度差。速度差异导致空缺的形成。杂质在促进空位聚集从簇到空的过程中也起着重要作用。无论是扩散效应还是杂质效应，它都会在Cu晶界发生。当Cu晶界的密度高时将形成空隙。Cu的晶粒尺寸与Cu晶界的密度成反比。结果，Cu粒径严重影响Sn / Cu接头的界面微观结构，即，Cu粒径越大，在Sn / Cu界面处形成的空隙越少。
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更新日期：2020-01-13
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