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TMA氧化铝中基于臭氧的原子层沉积：生长，形态和反应机理
Chemistry of Materials ( IF 7.2 ) Pub Date : July 13, 2006 , DOI: 10.1021/cm0608903
S. D. Elliott 1 , G. Scarel 2 , C. Wiemer 2 , M. Fanciulli 2 , G. Pavia 3
Chemistry of Materials ( IF 7.2 ) Pub Date : July 13, 2006 , DOI: 10.1021/cm0608903
S. D. Elliott 1 , G. Scarel 2 , C. Wiemer 2 , M. Fanciulli 2 , G. Pavia 3
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我们研究了在150-300°C范围内的生长温度对使用原子层沉积法沉积的Al 2 O 3膜的结构和形态特性的影响，对比了H 2 O和O 3作为氧源的影响。三甲基铝（TMA）是金属来源。使用从头算来研究O 3反应的机理，并为观察到的温度依赖性提供了解释。模拟结果表明，吸附的甲基被O 3氧化，在表面产生了羟基。这是通过测得的比率来确认的；H 2 O和O 3都该方法显示出每个循环的摩尔生长速率随着反应器温度的升高而降低，这与羟基覆盖率的降低相一致。在没有温度的情况下，O 3工艺每个循环沉积的Al 2 O 3比H 2 O工艺更多。形态学特征表明，作为氧源的O 3比H 2 O产生的膜质量低；薄膜密度较小且较粗糙，尤其是在低生长温度下。空隙的存在与低电子密度相关。这可能表明表面羟基在低温下的迁移率低，这种现象在H 2 O情况下通过与气相的反复交换而被淘汰。
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更新日期：2017-01-31
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