在本研究中，脑室内 [icv] 施用生长抑素 [线性和循环]、生长抑素 3-6、生长抑素 7-10 和 des AA1,2,4,5,12,13 [D-Trp8] 生长抑素 [ODT8-SS] 的影响对大鼠电休克 [ECS] 诱发的逆行性遗忘症进行了研究。ECS显着降低了足部电击诱发的回避潜伏期，从而引起了逆行性遗忘症。0.6 nM 剂量的生长抑素 [线性和循环] 对 ECS 诱导的逆行性遗忘症没有作用，而在 3 nM 和 [仅循环] 6 nM 剂量下，它显着阻止了它。0.6、3 和 6 nM 剂量的生长抑素 3-6、生长抑素 7-10 和 ODT8-SS 对 ECS 诱导的健忘症没有影响。这些结果表明，需要原始生长抑素分子的整个序列来阻止 ECS 引起的逆行性遗忘症。



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