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耦合二次离子质谱和原子探针层析成像技术，用于原子扩散和偏析测量。
Microscopy and Microanalysis ( IF 2.9 ) Pub Date : 2019-01-31 , DOI: 10.1017/s1431927618015623 Alain Portavoce 1 , Khalid Hoummada 2 , Lee Chow 3
Microscopy and Microanalysis ( IF 2.9 ) Pub Date : 2019-01-31 , DOI: 10.1017/s1431927618015623 Alain Portavoce 1 , Khalid Hoummada 2 , Lee Chow 3
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长期以来，二次离子质谱（SIMS）是唯一一种可以在深度分辨率为几纳米的样品中精确测量低于1 at％的杂质浓度的技术。例如，SIMS是微电子学中用于研究半导体中掺杂物分布的经典技术，在抛弃放射性示踪剂后，SIMS成为了用于原子迁移表征（扩散系数测量）的主要工具。由于缺乏其他等效技术，有时可能会错误地使用SIMS，尤其是当分析的溶质原子形成簇时，或例如用于界面浓度测量（偏析系数测量）时。今天，可以将通过原子探针层析成像（APT）测量的浓度分布图与SIMS分布图进行比较，从而可以更好地评估SIMS测量的准确性。但是，APT测量也可能会携带伪影和限制，可以通过SIMS进行调查。在总结了SIMS和APT测量的优缺点之后，讨论了这两种技术的互补性，特别是在旨在测量扩散和偏析系数的实验中。
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更新日期：2019-11-01
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