Xe.CF4和Kr.CF4 van-der-Waals分子的光电离研究,The Journal of Chemical Physics

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Xe.CF4和Kr.CF4 van-der-Waals分子的光电离研究
The Journal of Chemical Physics ( IF 3.1 ) Pub Date : 2016-05-11 13:49:37 , DOI: 10.1063/1.4948632
V. A. Alekseev ₁ , G. A. Garcia ₂ , R. Kevorkyants ₁ , L. Nahon ₂

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我们报告了Xe.CF ₄和Kr.CF ₄ van-der-Waals络合物在超音速膨胀中产生的光电离研究，并使用同步加速器辐射和光电子-光子重合技术对其进行了检测。CF ₄的电离势大于Xe和Kr原子，Rg.CF ₄⁺离子的基态与Rg ⁺（² P _3/2）+ CF _4相关。Rg.CF ₄⁺的发作发现信号仅比Rg电离电势低约0.2 eV。与实验相吻合，补充的从头算计算表明，源自Rg.CF ₄基态势能最小值的垂直跃迁终止于Rg.CF ₄⁺势能面的一部分，该势能面比Rg.CF ₄⁺低约0.05 eV。 Rg ⁺（² P _3/2）+ CF ₄解离极限。与在面几何中最稳定的中性络合物相反，对于Rg.CF ₄⁺离子，计算表明势能面的最小值在顶点几何中。仅使用Xe.CF进行的实验_图4显示没有高于Xe的第一电离阈值的Xe.CF ₄⁺信号，表明Rg.CF ₄⁺离子在第一解离极限以上不稳定。

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更新日期：2016-05-12

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