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莫来石型正交晶Bi 2 M 4 O 9(M = Al 3+,Ga 3+)的结构,电子和光学性质的第一性原理研究
Inorganic Chemistry ( IF 4.3 ) Pub Date : 2016-05-03 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.inorgchem.6b00330
Ehsan Zahedi 1 , Bing Xiao 2 , Mohadese Shayestefar 3
Affiliation  

运用密度泛函理论,研究了莫来石型斜方晶Bi 2 M 4 O 9(M = Al 3+,Ga 3+)晶体的结构,电子能带结构,态密度,投影波函数和光学性质。广义梯度近似框架中的范德比尔特超伪拟势作为交换相关函数。实验和理论结果之间的令人满意的一致性表明所使用的方法和条件是合适的。四面体MO 4环境中的M–O键相对于八面体MO 6更强且更共价; 在这两个研究结构中,Bi-O键本质上几乎都是离子性的。Bi 2 Al 4 O 9和Bi 2 Ga 4 O 9的光催化活性由于在MO 4,MO 6和BiO 6 E基团中O原子上的Mulliken电荷值不相等而得到增强。Bi 2 Al 4 O 9和Bi 2 Ga 4 O 9是带隙分别为2.71和2.86 eV的直接和间接带隙半导体。Bi 2 Al 4 O 9的较高光催化活性与Bi 2 Ga 4 O 9相比,由导带最小值和价带最大值附近的光生载流子的较低有效质量可以推断出α的存在。在价带和导带中存在M和O轨道表明,MO 4和MO 6单元中的对称性断裂在分离电荷和增加光催化活性方面具有重要作用。从带边缘电位证实了Bi 2 Al 4 O 9和Bi 2 Ga 4 O 9对有机污染物的分解和水分解产生氢的光催化活性。



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更新日期:2016-05-03
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