英文原题:Molecular Doping-Driven Modulation of Domain Charge Transport Elevates Thermoelectric Performance in Polar Polythiophene
通讯作者:林悦(中国科学院福建物质结构研究所);冯良文(四川大学);陈晨(国防科学技术大学)
作者:Kaiqing Lu, Chen Chen*, Jing-Liang Cheng, Ian E. Jacobs, Baiqiao Yue, Pochung Huang, Liang-Wen Feng*, Yue Lin*
共轭聚合物(CPs)由于在热电和生物传感器等领域的巨大潜力,一直是材料科学研究的前沿领域。然而,CPs的低电荷迁移率及其复杂的微观结构与电荷传输之间的关系,长期以来一直阻碍着其热电性能的提升。
近期,中国科学院福建物质结构研究所林悦、四川大学冯良文、国防科技大学陈晨组成的联合团队针对p(g32T-T)这一模型系统,采用离子交换掺杂技术,成功实现了域内和域间电荷传输的协同改善,获得了63 μW m-1 K-2的功率因子,标志着极性聚噻吩领域的重大进步。相关论文发表于ACS Materials Letters,第一作者为硕士研究生鲁凯晴。
图1. 掺杂机理及其对p(g32T-T)中结构-性能关系的影响。(a) 聚合物结构及其掺杂方法;(b) 离子交换掺杂机制;(c) 不同掺杂水平下薄膜的电性能;(d) 掺杂极性聚噻吩的功率因子。
作者进一步通过GIWAXS表征发现,适度掺杂能改善p(g32T-T)薄膜晶域内的结构有序性。然而,超过最佳掺杂阈值会引发剧烈的结构重排,使固态分子取向从边缘(edge-on)转变为面向(face-on),导致晶域内电荷迁移率下降,阻碍电荷传输。吸收光谱的研究进一步揭示电子结构演变过程,P1峰的蓝移证实了掺杂对域内结构的干扰。
图2. 不同掺杂浓度的p(g32T-T)薄膜的结构分析。(a) 2D GIWAXS图案;(b) GIWAXS线切割剖面,不同掺杂水平薄膜的面外(实线)和面内(虚线)方向;(c) 与π-π堆叠方向相关的相干长度和次结晶。
图3. p(g32T-T)薄膜的光谱学特征。(a) UV-vis-NIR光谱分析;(b) FTIR;(c) 高分辨率硫2p XPS光谱;(d)掺杂p(g32T-T)薄膜在不同掺杂水平下电导率、电荷载流子密度和迁移率的变化。
为了更好地理解电荷传输机制,作者引入了一种新型定量方法,通过加权迁移率导出的活化能Wγ来探测域间电荷传输效率。Wγ的减少表明,增加掺杂水平降低了域间能量势垒,划定了热电性能的最佳掺杂阈值。超过这一阈值后,过量掺杂进一步增强了非晶区的域间传输。
图4. 电荷运输特性的比较分析。(a) 塞贝克系数和电导率之间的关系;(b) 室温下输运系数 (σE0) 与电导率的变化;(c) 随温度变化的电导率阿伦尼乌斯图和 (d) 活化能 (Ea);(e) p(g32T-T) 与温度相关的传输系数和 (f) 传输能垒 (Wγ)。
图5. p(g32T-T) 薄膜中电荷传输调制的比较分析。(a) p(g32T-T) 薄膜不同掺杂水平中微结构的转变;(b) 和 (c) 针对两个不同的活化能Ea和Wγ进行室温电导率比较。
此外,研究还重新评估了活化能Ea和Wγ的意义。Ea通常被视为聚合物对金属行为倾向的衡量标准,但结果显示,Wγ已成为一个更可靠的指标,较低的值暗示着向类金属电荷传输的重大转变。
这项研究表明,协同促进域内和域间电荷传输对于提升聚合物热电性能至关重要,并为理解共轭聚合物中的电荷传输机制提供了新的视角。
该研究的详细内容发表在ACS Materials Letters 上,欲了解该研究的更多信息,请访问原文链接。
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Molecular Doping-Driven Modulation of Domain Charge Transport Elevates Thermoelectric Performance in Polar Polythiophene
Kaiqing Lu, Chen Chen*, Jing-Liang Cheng, Ian E. Jacobs, Baiqiao Yue, Pochung Huang, Liang-Wen Feng*, Yue Lin*
ACS Materials Lett. 2024, 6, XXX, 4351–4359
https://doi.org/10.1021/acsmaterialslett.4c01056
Published: August 21, 2024
© 2024 American Chemical Society
(本稿件来自ACS Publications)
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