通过MXene使你更易“接触”二维世界

二维半导体由于其优异的电学和结构性质，而成为构建下一代电子器件的热门材料之一。然而，这类器件目前还有很多需要提高的地方。其中一个难题是降低金属电极和二维半导体之间的接触电阻。

最近，加州理工大学的Yuanyue Liu、Hai Xiao和William A. Goddard III通过量子力学计算提出了一种解决方案。他们发现利用表面调控的二维金属碳化物或者氮化物（MXene）作为电极，可以实现较低的接触电阻。这是由于：（1）表面官能团（O、OH等）能产生表面偶极矩，从而显著改变电极的费米能级到合适的位置；（2）MXene和二维材料之间的作用力很弱（范德瓦耳斯作用），从而抑制了界面电子态的形成和费米能级钉扎，使得载流子输运能垒（Schottky barrier）的调控变得更加容易（详情另见Sci. Adv., 2016, 2, e1600069）。

这项工作同时也为MXene材料指出了一个新的用途。目前MXene主要用于能源储存等方面。这项工作展示了其在电子器件方面的前景。原文发表于J. Am. Chem. Soc.。

该论文作者为：Yuanyue Liu, Hai Xiao, William A. Goddard III

原文（扫描或长按二维码，识别后直达原文页面，或点此查看原文）：

Schottky-Barrier-Free Contacts with Two-Dimensional Semiconductors by Surface-Engineered MXenes

J. Am. Chem. Soc., 2016, 138, 15853-15856, DOI: 10.1021/jacs.6b10834