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Deep-Ultraviolet Nonlinear-Optical Material K3Sr3Li2Al4B6O20F: Addressing the Structural Instability Problem in KBe2BO3F2
Inorganic Chemistry ( IF 4.3 ) Pub Date : 2017-07-25 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.inorgchem.7b01517
Hongping Wu 1 , Hongwei Yu 2 , Shilie Pan 1 , P. Shiv Halasyamani 2
Inorganic Chemistry ( IF 4.3 ) Pub Date : 2017-07-25 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.inorgchem.7b01517
Hongping Wu 1 , Hongwei Yu 2 , Shilie Pan 1 , P. Shiv Halasyamani 2
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A beryllium-free deep-ultraviolet (DUV) nonlinear-optical (NLO) material, K3Sr3Al4Li2B6O20F, has been synthesized and characterized. Unlike KBe2BO3F2 (KBBF), the reported NLO material does not require the use of toxic BeO in the synthesis, and through the judicious selection of cations, strong interlayer interactions are observed that facilitate the crystal growth. K3Sr3Al4Li2B6O20F exhibits second-harmonic generation (SHG) at both 1064 and 532 nm with efficiencies of 1.7KH2PO4 and 0.3β-BaB2O4 and has an absorption edge of 190 nm. Because of the strong interlayer interactions, we were able to grow well-faceted large crystals, 8 × 8 × 5 mm3, through a top-seeded-solution-growth technique. With these crystals, we determined a birefringence of 0.0574 at 1064 nm and a type I phase-matching SHG limit of 224 nm.
中文翻译：
深紫外非线性光学材料K 3 Sr 3 Li 2 Al 4 B 6 O 20 F：解决KBe 2 BO 3 F 2中的结构不稳定性问题
一个自由铍深紫外线（DUV）的非线性光学（NLO）材料，K 3的Sr 3的Al 4栗2乙6 ø 20女，已经合成和表征。与KBe 2 BO 3 F 2（KBBF）不同，已报道的NLO材料不需要在合成中使用有毒的BeO，并且通过明智地选择阳离子，可以观察到强烈的层间相互作用，促进晶体生长。K 3 Sr 3 Al 4 Li 2 B 6 O 20˚F表现出在两个1064秒谐波产生（SHG），并用的效率1.7KH 532nm的2 PO 4和0.3β-BAB 2 ö 4并具有190 nm的吸收边缘。由于强大的层间相互作用，我们能够通过顶部播种溶液生长技术生长出切面良好的大晶体8×8×5 mm 3。使用这些晶体，我们确定在1064 nm处的双折射为0.0574，I型相匹配SHG极限为224 nm。
更新日期：2017-07-25
中文翻译：
深紫外非线性光学材料K 3 Sr 3 Li 2 Al 4 B 6 O 20 F：解决KBe 2 BO 3 F 2中的结构不稳定性问题
一个自由铍深紫外线（DUV）的非线性光学（NLO）材料，K 3的Sr 3的Al 4栗2乙6 ø 20女，已经合成和表征。与KBe 2 BO 3 F 2（KBBF）不同，已报道的NLO材料不需要在合成中使用有毒的BeO，并且通过明智地选择阳离子，可以观察到强烈的层间相互作用，促进晶体生长。K 3 Sr 3 Al 4 Li 2 B 6 O 20˚F表现出在两个1064秒谐波产生（SHG），并用的效率1.7KH 532nm的2 PO 4和0.3β-BAB 2 ö 4并具有190 nm的吸收边缘。由于强大的层间相互作用，我们能够通过顶部播种溶液生长技术生长出切面良好的大晶体8×8×5 mm 3。使用这些晶体，我们确定在1064 nm处的双折射为0.0574，I型相匹配SHG极限为224 nm。
京公网安备 11010802027423号