III-V族IV族联合分子束外延系统

包含四个腔： transfer腔，loadlock 腔，III-V族生长腔，IV族生长腔。

III-V族腔配备铝，镓，铟，砷，锑等生长源炉，碳，硅等掺杂源。

IV族腔配备硅，锗，锡，铝等生长源炉，硼 ，磷等掺杂源。

系统配备裂解氢源等用于表面处理，RHEED等用于原位表征，EIES等用于实时束流监控。

整套系统两生长腔能独立生长，同样也能交替生长III-V族和IV 族的半导体异质结薄膜。

原位扫描探针显微镜STM/Q-PLUS AFM

闭循环无液氦低温Pan式STM/AFM系统

与MBE腔体真空联结，集成了STM和Q-PLUS AFM，对MBE腔中的样品进行原位表征。

超高真空环境STM测量，低温能降至8.5K。

光学表征系统

低温微区荧光光谱系统

工作温区从室温到液氦温区，激光光斑大小10um尺度。

光纤耦合平台

纯化同位素源硅锗分子束外延系统

装配同位素纯化硅，锗源材料的MBE系统。

配备液氦自循环冷泵维持真空生长环境。

主要用于无核自旋量子计算材料的生长制备。