随着人工智能、超级计算机、高密度信息存储器的飞速发展，对于信息存储与逻辑运算技术提出了更高的要求，实现高密度、低损耗、非易失的存储器已经成为行业发展的关键技术。因此，开发新型非易失性存储技术，构建新型计算体系构架至关重要。随着二维材料的兴起，其展现出的强自旋轨道耦合效应，长自旋扩散距离等，为解决上述问题提供了契机。同时，几个原子层厚度的二维材料极大地削弱了对外场的屏蔽效应，更易于实现外场的调控，极大地降低了功耗。因此，二维铁磁和铁电材料在自旋电子学和非易失性存储器领域存在巨大发展潜力，为开发下一代具有更小单元尺寸、非易失性、低功耗和高速度的自旋电子器件提供了广阔前景和发展方向。

电子科技大学彭波教授、邓龙江教授团队综述了近年来最新研究的二维铁磁和铁电材料，包括绝缘铁磁材料、金属铁磁材料、反铁磁材料和铁电材料，讨论了二维铁磁材料长程磁序的物理机制、当前存在的难题及展望。铁磁二维材料较低的居里温度、不稳定性以及大面积生长工艺缺失限制了其实际的应用价值，本文简要提出了几种解决方法，例如通过施加电压、离子掺杂、调节化学计量成分等方式可以将二维铁磁材料的居里温度调高至室温。同时，本文论述了二维铁磁和铁电材料组成的范德瓦尔斯异质结的特性和优势，提出该异质结的构建为探索新奇的物理现象和实现多功能化非易失性器件开辟了崭新的道路。

文章链接：Zhen Liu, Longjiang Deng & Bo Peng^*. Ferromagnetic and ferroelectric two-dimensional materials for memory application. Nano Research https://doi.org/10.1007/s12274-020-2860-3.