近日，电子科技大学彭波教授等人在Science China Materials上发表研究论文，针对CsPbBr3中的暗激子进行了详细的研究，通过施加面外磁场，实现了对CsPbBr3中暗态激子的激活，并发现暗态激子的荧光强度随磁场增加而呈现线性增强。
本工作揭示了CsPbBr3暗激子的磁场调控行为和内在物理机制，对深入理解其光电特性具有重要的科学意义。
该研究成果最近发表于Science China Materials, 2019, 10.1007/s40843-019-1245-1。
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