个人简介
顾修全，男，1982年1月，安徽金寨人，中共党员，副教授。主持江苏省自然基金等各类课题近10项，已发表学术论文60余篇，其中被SCI收录40余篇，获得专利授权6项。从事《材料物理性能》、《新能源材料》等本科、研究生课程的教学。
教育/工作经历
2009.7至今，中国矿业大学材料科学与工程学院教师
2018.9~2019.8，第十一批省科技镇长团成员
2015.10~2016.10，瑞典乌普萨拉大学化学—Angstöm实验室，高级访问学者
2004.9~2009.6，浙江大学硅材料国家重点实验室，硕博连读
2000.9~2004.6，安徽师范大学，物理学，学士
代表性教学和科研项目
1. 学科前沿专项重点项目，2013XKZD01，太阳能高效利用与转换技术中关键材料的基础研究，2015/10-2019/10，200万，在研。
2. 江苏省自然科学基金青年基金，BE20130198，Ag3PO4/TiO2核壳纳米棒阵列的制备及其光电性能研究，2013/07-2016/07，20万元，已结题。
3. 中国博士后基金，CNT@CZTS复合薄膜的制备及其光伏特性研究，8万元，2013/05-2015/ 05，已结题。
4. 中央高校基本业务费，CZTS晶体的制备、能带调控及光学性能研究，10万元，2013/01- 2015/12，已结题。
9. 顾修全，何容，强颖怀，赵宇龙，一种有着可见光响应的TiO2分级结构及其制备方法，授权专利号：ZL 2017100555935
10. 顾修全，张双，强颖怀，赵宇龙，王波，一种制备纳米级四氧化三钴材料的方法，中国发明专利，授权专利号：ZL 2014102022893.8
11. 顾修全，张双，强颖怀，赵宇龙，一种提高Ag3PO4可见光催化性能的方法，中国发明专利，授权专利号：ZL 2014102065440.X
12. 顾修全，强颖怀，赵宇龙，一种磷酸银薄膜制备的方法，中国发明专利，授权专利号：ZL 201410371554.2
13. 顾修全，张双，强颖怀，赵宇龙，一种基于Ag3PO4薄膜的光吸收层及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL 201410657651.8
14. 顾修全，张双，强颖怀，朱磊，赵宇龙，一种纳米片与纳米颗粒复合结构可见光催化剂及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL 201410277580.9
近期论文
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1.Xiao Huang,Jian Song,Linmeng Wang,Xiuquan Gu*,Yulong Zhao,Yinghuai Qiang,Photoelectrochemical properties of ZnO/BiVO4 nanorod arrays prepared through a facile spin-coating deposition route,Materials Science in Semiconductor Processing[J],2019,97:106-111
2.Linmeng Wang,Shan Jia,Xiuquan Gu*,Yulong Zhao,Yinghuai Qiang,Enhanced photoelectrochemical performance of BiVO4 by a NiMoO4 modification,Journal of Electronic Materials[J],2019,48(4):2501-2508
3.Chenyang Zha,Xiuquan Gu,Donghai Wu and Houyang Chen*,Interfacial active fluorine site-induced electron transfer on TiO2(001)facets to enhance polysulfide redox reactions for better liquid Li2S6-based lithium-sulfur batteries,J.Mater.Chem.A,2019,7:6431-6438
4.Linmeng Wang,Xiuquan Gu*,Yulong Zhao,Meng Wei,Chunlai Huang,Yinghuai Qiang*,Enhanced photoelectrochemical performance of Si nanowires by etching a single-crystal Si(100)wafer,Applied Surface Science[J],2018,448:126-132
5.Linmeng Wang,Xiuquan Gu*,Yulong Zhao,Meng Wei,Yinghuai Qiang,Yun Zhao*,Enhanced photoelectrochemical performance by doping Mo into BiVO4 lattice,Journal of Materials Science:Materials Electronics[J],2018,29(22):19278-19286
6.Chenchen Jia,Xiuquan Gu,Yulong Zhao,Linmeng Wang,Yinghuai Qiang*,Enhanced photoelectrochemical performance of black Si electrode by forming a pn junction,Journal of Materials Science:Materials Electronics[J],2018,29(24):20734-20741
7.Yulong Zhao,Xiuquan Gu*,Lei Zhu,Rong He,Yinghuai Qiang*,Influence of annealing ambient on the photoelectric and photoelectrochemical properties of TiO2 nanorod arrays,Journal of Electronic Materials[J],2018,47(9):5251-5258
8.Yanan Sun,Xiuquan Gu*,Yulong Zhao,Linmeng Wang,Yinghuai Qiang,Temperature-dependent photoluminescence analysis of ZnO nanowire array annealed in air,Superlattices and Microstructures[J],2018,117:520-526
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