1. 氧化物铁电薄膜与存储器件 氧化物铁电薄膜因其非易失性存储特性在信息存储领域展现出巨大潜力，铁电存储器件如FeRAM利用这些材料的电极化状态进行信息存储和读取，具备了高速、低功耗、长寿命和抗辐射等优势。 2. 铁电/半导体异质结构的光电性能 铁电/半导体异质结构通过结合铁电材料的自发极化和半导体的载流子输运特性，呈现出独特的光电性能，对于光电探测、光电存储和神经形态计算等领域的应用前景广阔。 3. 二维铁电材料及其异质结构 二维铁电材料以其原子级厚度和层状结构在低功耗器件、柔性电子和传感器等方面发挥着重要作用，它们的异质结构研究，尤其是与InSe、Te等二维半导体的结合，为新型光电存储器、光电探测器和神经形态计算提供了新的途径。 这些领域的研究共同推动了铁电材料及相关器件的技术进步，旨在满足电子信息领域日益增长的需求。