一、          胡卫进研究员简介：

  胡卫进，中国科学院金属研究所研究员，国家级人才项目计划入选者。2005年于哈尔滨工业大学获材料物理学士学位，2011获中国科学院金属研究所材料科学与工程博士学位，导师为张志东研究员。2012-2017年，先后在南洋理工大学和阿卜杜拉国王科技大学从事博士后研究工作，合作导师Tom Wu 教授及Lain-Jong Li教授。2017年12月入职中科院金属研究所。目前担任沈阳材料科学国家研究中心独立PI。

  胡卫进研究员专注于新型铁电铁磁薄膜器件的研究，在上述领域取得了系列研究成果。其中，以通讯/第一作者身份在Nature Communications、Advanced Functional Materials,、Nano letter、ACS Nano、npj 2D materials and application、Scientific Report、Applied Physics Letter等SCI期刊发表论文50余篇，被SCI论文他引5000余次，高被引文章4篇。担任Nature communications 等20余种国际期刊审稿人。

二、          研究方向：

  本研究组主要从事新型铁电铁磁存储和探测器件的研究。以铁电薄膜为中心，研究在微纳米尺度下，铁电同金属/半导体/铁磁等复合薄膜界面之间丰富的物理现象，包括磁电耦合、场致阻变、光电效应、应力效应、以及尺寸效应等。结合各种先进的微观结构表征、磁光电输运性能测试手段，阐释不同界面对铁电性能影响的共性规律。在此基础上，开发具有低功耗和高存储密度的非挥发性铁电存储和探测器件，如铁电电容器、铁电隧道结，铁电二极管，铁电晶体管等，拓展铁电存储器的应用。

本课题组科研经费充足，拥有一流的科研工作环境、积极开放的学术氛围和良好的国际交流合作机会。近期的研究兴趣集中但不局限于：

1. 氧化物铁电薄膜与存储器件；

2. 铁电/半导体异质结构的光电性能；

3. 二维铁电材料及其异质结构。