10月24日，课题组研究生三年级的吴崇同学以第一作者身份在国际知名期刊《APL Materials》上发表了题为《Domain epitaxial matching of γ-CuI film grown on Al₂O₃(001) substrate via physical vapor transport》的研究论文。该期刊影响因子为5.3，属于物理学领域的2区期刊，具有较高的学术影响力。论文由张海老师、赵学平老师共同指导完成。该论文通过物理气相传输技术（PVT）成功实现了高结晶质量的γ-CuI薄膜在Al₂O₃(001)衬底上的外延生长。

γ-CuI是一种具有优良导电性和可见光透过率的p型透明导电材料，在透明半导体器件的发展中具有广阔的应用前景。然而，由于缺乏与γ-CuI晶格常数匹配的透明单晶衬底，其高质量外延生长一直面临挑战。论文通过畴外延技术，有效降低了γ-CuI与Al₂O₃之间的晶格失配度，从而实现了高质量的薄膜生长。采用PVT技术制备的γ-CuI薄膜表面均匀，结晶质量高，摇摆曲线的半峰宽仅为0.45°。薄膜中存在两种旋转畴，畴间相对旋转角约为60°，界面呈现为⟨111⟩60°孪晶边界。新的匹配模式CuI⟨11-2⟩ (111)//Al₂O₃ [-1-10] (001)使得晶格失配度降低至约4.6%，比以往报道的数值11%显著降低。这一发现不仅为理解大晶格失配体系的外延生长机制提供了新思路，也展示了PVT技术在制备高质量、大规模γ-CuI外延薄膜方面的巨大潜力。

     该研究得到了多方的关注和认可，不仅展示了吴崇同学在学术研究中的潜力，也为内蒙古工业大学在材料物理学领域的研究增添了新的亮点。吴崇同学表示，他将继续致力于材料科学的研究，希望通过不断的探索和创新，为相关领域的发展做出更大的贡献。

此次发表的研究成果标志着吴崇同学在学术道路上迈出了坚实的一步，也为他未来的研究奠定了良好的基础。我们期待他在未来取得更多的突破和成就。