张潇扬同学在国际知名物理学期刊《Physica Status Solidi (A)》发表重要研究成果

近日，课题组研究生二年级的张潇扬同学以第一作者身份在国际经典应用物理学期刊《Physica Status Solidi (A)》上发表了题为《Understanding the Thermodynamics of Si and Ge Concentration Variation in SiGeSn Nanowires》的研究论文。论文由张海老师、赵学平老师和宁波大学陈王华教授共同指导完成。该论文深入探讨了硅锗锡（SiGeSn）纳米线中硅（Si）和锗（Ge）浓度变化的热力学行为，为新型半导体材料的设计提供了重要理论基础。

在这项研究中，采用了气-液-固(VLS)生长机制，通过等离子体增强化学气相沉积法，以锡(Sn)作为催化剂，硅烷(SiH4)和锗烷(GeH4)作为前驱物，成功合成了高质量的SiGeSn纳米线。通过详尽的计算、分析，开发了一个简单的数学模型，探讨催化剂形状及Sn在纳米线表面存在对内部Sn浓度及其沿纳米线生长轴变化的影响。揭示了SiGeSn纳米线合金中Si和Ge浓度变化的热力学驱动力和稳定性条件，研究发现纳米线直径显著影响Si和Ge的浓度，这一现象可归因于吉布斯–汤姆逊效应。这一发现对优化SiGeSn材料的性能，尤其是在光电器件和集成电路中的应用，具有深远的意义。

这项研究为SiGeSn纳米线的合成及其异质结构提供了新的方法，并为在VLS生长过程中实现金属催化剂掺入的精确控制提供了宝贵的见解。该研究不仅在材料科学领域具有重要意义，还为未来高效半导体器件开发和纳米技术的应用奠定了基础

张潇扬同学的研究成果得到了学术界的高度关注和肯定，标志着她在物理学研究道路上迈出了重要一步。同时，这也是我校物理学系科研实力的又一体现。