2019年7月9日至12日，第二十二届全国半导体物理学术会议在杭州举行。会议由中国物理学会半导体物理专业委员会、浙江大学、中国科学院半

导体研究所主办，浙江大学物理学系、硅材料国家重点实验室联合承办。大会主席由中科院院士李树深、杨德仁共同担任，组委会主任由浙江大学教授

吴惠桢担任。
　　开幕式上，杨德仁、浙江大学副校长严建华分别致辞。会议设有8个邀请报告，介绍了后摩尔时代微电子技术领域面临的挑战、利用范德瓦尔斯相

互作用实现人工二维异质结并制备高性能器件的新方法、溶液法制备半导体量子点过程中遇到的科学问题及解决方法、InAs/GaSb异质结构中的自旋量

子霍尔效应以及拓扑超流态的研究进展、室温下钙钛矿半导体中的极化激子凝聚现象、低维半导体器件在空间光电技术中的应用、使用光子纠缠态实现

量子通信和量子计算所面临的挑战等。今年恰逢国家最高科学技术奖获得者、中科院院士黄昆100周年诞辰，中科院院士朱邦芬作了专题纪念报告。

      我课题组2018级硕士研究生刘旭东、闫琳、张晓英在会上分别做了题为《磁性铁硅纳米点的高密度制备及外加磁场作用下电子输运特性研究》、

《远程氢气等离子体诱导Fe-Si 化合物纳米点的高密度制备》、《硅基锗外延层中堆垛层错的行成机理研究》、《Ge1-xCx 的光电性质及力学性质研

究》的四篇学术报告，引发国内外学者的积极探讨和一致好评。