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在石墨烯上直接外延生长GaN制成的自组装紫外光电探测器
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2018-05-10 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsami.8b01194 Timotée Journot 1, 2 , Vincent Bouchiat 1, 3 , Bruno Gayral 1, 4 , Jean Dijon 1, 5 , Bérangère Hyot 1, 2
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2018-05-10 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsami.8b01194 Timotée Journot 1, 2 , Vincent Bouchiat 1, 3 , Bruno Gayral 1, 4 , Jean Dijon 1, 5 , Bérangère Hyot 1, 2
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基于晶体体半导体与2D晶体相结合的混合系统被认为是用于新的光电应用的有前途的异质结构。III-V半导体在2D材料上的直接集成对于制造实用设备非常有吸引力，但是如何保持底层2D材料的固有特性仍然是一个挑战。在这项工作中，我们研究了石墨烯上自组织GaN晶体的直接外延。我们证明了GaN的严格的金属有机化学气相沉积生长条件（化学侵蚀性前体和高温）对石墨烯基面的结构质量和电荷载流子迁移率没有不利影响。因此，石墨烯既可以用作有效的敏感材料，又可以用作GaN外延的衬底，以制成自组装的紫外线光电探测器。响应度高达2 AW与简单沉积接触电极相比，–1是在UV-A范围内测量的，无需任何进一步的后处理。我们的研究为通过直接外延构建新的自组装2D / III-V混合型光电器件开辟了道路。
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更新日期：2018-05-10
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