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钒酸铋核-壳纳米线光阳极的原子层沉积
Chemistry of Materials ( IF 7.2 ) Pub Date : 2019-05-01 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.chemmater.9b00065 Ashley R. Bielinski 1 , Sudarat Lee 1 , James J. Brancho 2 , Samuel L. Esarey 2 , Andrew J. Gayle 1 , Eric Kazyak 1 , Kai Sun 3 , Bart M. Bartlett 2 , Neil P. Dasgupta 1
Chemistry of Materials ( IF 7.2 ) Pub Date : 2019-05-01 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.chemmater.9b00065 Ashley R. Bielinski 1 , Sudarat Lee 1 , James J. Brancho 2 , Samuel L. Esarey 2 , Andrew J. Gayle 1 , Eric Kazyak 1 , Kai Sun 3 , Bart M. Bartlett 2 , Neil P. Dasgupta 1
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钒酸铋（BVO）是用于光电化学水氧化的有前途的金属氧化物半导体。在这项研究中，使用铋和钒氧化物的交替膜的原子层沉积（ALD）沉积BVO。一种新型的双烷氧化物前驱体被用于沿着富Bi到富V组成的光谱精确控制化学计量，并且在退火后获得了纯相单斜BVO膜。由未掺杂的41.8 nm BVO薄膜电极和ALD SnO 2缓冲层组成的平面光阳极在相对于RHE的1.23 V电压下产生的光电流密度为2.24 mA / cm 2。ALD用于保形涂覆BVO和SnO 2在ZnO纳米线模板上制备核-壳型光阳极，相对于平面控制电极，其光电流密度（在1.23 V时为2.9 mA / cm 2）增加30％。这是迄今报道的沉积ALD的光阳极的最高光电流，为合理设计3-D纳米结构光电极结构提供了一条途径。
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更新日期：2019-05-01
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