短波长发光对于高性能光电设备应用至关重要。已经努力通过用诸如ZnS的材料封装ZnO一维（1D）纳米结构来获得强烈的紫外线（UV）发射。但是，尚未报道用ZnO封装ZnS 1D纳米结构。在本文中，我们报告了由ZnS包覆的ZnS纳米棒（即ZnS-核心/ ZnO-壳纳米棒）发出的超强紫外线发射。ZnS核/ ZnO壳纳米棒的紫外线发射强度比经过广泛研究的ZnO核/ ZnS壳纳米棒的紫外线发射强度要大得多。ZnS核/ ZnO壳纳米棒的近带边缘发射强度最高，其ZnO壳层厚度为35 nm，是原始ZnS纳米棒的约16倍。而且，深层（DL）发射被完全抑制。可以通过组合以下四个效应来合理地充分增强ZnS纳米棒的UV发射并完全抑制ZnO鞘层的DL发射：通过重叠ZnS芯的UV发射和通过ZnS芯的UV发射来增强UV发射。 ZnO壳层，通过将载流子从ZnS核转移到ZnO壳层来增强ZnO壳层的发射，通过ZnS表面的表面态抑制载流子的捕获，并抑制ZnS中的可见光发射和非辐射复合。



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