通过化学气相沉积在金属基材上进行大面积合成高质量石墨烯需要抛光或基材晶粒扩大，然后需要较长的生长时间。在这里，我们演示了一种新颖的基板处理方法，该方法可通过在多晶铂箔上涂一层含硅薄膜来方便地合成毫米尺寸的单晶石墨烯。该膜在加热时与铂反应，导致形成液态的硅化铂层，该层屏蔽了铂晶格并填充了形貌缺陷。这减少了对催化底物表面性能的依赖性，改善了石墨烯结构域的结晶度，均匀性和尺寸。在升高的温度下，可以实现比通常报道的高出一个数量级（120μmmin（-1））以上的增长率，节省了耗材，能源和时间的成本。这项通用技术为在二维材料的大面积合成中使用全新的共晶基质铺平了道路。



"点击查看英文标题和摘要"