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A printed gallium oxide dielectric for 2D transistors
Nature Electronics ( IF 33.7 ) Pub Date : 2024-12-05 , DOI: 10.1038/s41928-024-01307-9 Tuan Dung Nguyen, Qing Tu, Xu Zhang, Yuxuan Cosmi Lin
Nature Electronics ( IF 33.7 ) Pub Date : 2024-12-05 , DOI: 10.1038/s41928-024-01307-9 Tuan Dung Nguyen, Qing Tu, Xu Zhang, Yuxuan Cosmi Lin
An ultrathin and uniform layer of gallium oxide can be printed onto channels of molybdenum disulfide to create high-performance two-dimensional transistors with clean interfaces.
中文翻译:
用于 2D 晶体管的印刷氧化镓电介质
可以将超薄且均匀的氧化镓层印刷到二硫化钼通道上,以创建具有干净界面的高性能二维晶体管。
更新日期:2024-12-05
中文翻译:
用于 2D 晶体管的印刷氧化镓电介质
可以将超薄且均匀的氧化镓层印刷到二硫化钼通道上,以创建具有干净界面的高性能二维晶体管。