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Minimal Switching Loss Three-Stage Active Gate Driving Strategy Based on Dynamic dv/dt Switching Model for GaN HEMT
IEEE Transactions on Power Electronics ( IF 6.6 ) Pub Date : 2024-11-18 , DOI: 10.1109/tpel.2024.3501362 Shuo Zhang, Chang Liu, Xinyu Li, Desheng Zhang, Yuxiang Yang, Run Min, Qiaoling Tong, Han Peng
中文翻译：
基于动态 dv/dt 开关模型的 GaN HEMT 最小开关损耗三级有源栅极驱动策略
更新日期：2024-11-18
IEEE Transactions on Power Electronics ( IF 6.6 ) Pub Date : 2024-11-18 , DOI: 10.1109/tpel.2024.3501362 Shuo Zhang, Chang Liu, Xinyu Li, Desheng Zhang, Yuxiang Yang, Run Min, Qiaoling Tong, Han Peng
中文翻译：
基于动态 dv/dt 开关模型的 GaN HEMT 最小开关损耗三级有源栅极驱动策略
京公网安备 11010802027423号