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通过微转移印刷直接键合集成高性能 InGaAs/GaN 光电探测器
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2024-02-13 , DOI: 10.1021/acsami.3c17663 Yang Liu 1, 2 , Zhi Li 2 , Fatih Bilge Atar 2 , Hemalatha Muthuganesan 2 , Brian Corbett 2 , Lai Wang 1
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不同半导体材料的集成在新应用中利用其互补特性具有巨大的潜力。然而，通过传统的异质外延或晶圆键合技术实现这种组合面临着巨大的挑战。在这项研究中，我们提出了一种新颖的方法，通过范德华力和微转移印刷技术，将基于 InGaAs 的 pin 膜与 GaN 直接键合。通过电气测量对所得的 n-InP/n-GaN 异质结进行了严格的表征，并全面研究了各种表面处理对器件性能的影响。所获得的InGaAs/GaN光电探测器表现出卓越的电学性能，并且在1550 nm波长的临界波长处表现出0.5 A/W的高光学响应度。这项开创性的工作强调了微转移印刷技术在实现大型晶格失配异质结器件方面的可行性，从而扩大了半导体器件的应用范围。
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