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用于线性紫外光电探测器的高深宽比 GaN p–i–n 纳米线
ACS Applied Nano Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2023-07-18 , DOI: 10.1021/acsanm.3c01495 Bruno César da Silva 1 , Adam Biegański 2 , Christophe Durand 2 , Zahra Sadre Momtaz 1 , Anjali Harikumar 2 , David Cooper 3 , Eva Monroy 2 , Martien Ilse den Hertog 1
ACS Applied Nano Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2023-07-18 , DOI: 10.1021/acsanm.3c01495 Bruno César da Silva 1 , Adam Biegański 2 , Christophe Durand 2 , Zahra Sadre Momtaz 1 , Anjali Harikumar 2 , David Cooper 3 , Eva Monroy 2 , Martien Ilse den Hertog 1
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通过自上而下的策略制造的基于纳米线 (NW) 的紫外 GaN 光电探测器有望比自下而上的探测器改善均匀性、形态和掺杂控制。然而，利用 NW 几何形状的优势需要亚波长 NW 直径。我们展示了大面积 200 nm 以下直径的自上而下 GaN p – i – n的制造使用纳米球光刻技术，然后结合干法蚀刻和晶体学选择性湿法蚀刻，从平面样品中生产出长度超过 2 μm 的 NW 紫外光电探测器。单纳米线器件在偏压下的光电流测量显示出作为光功率函数的线性响应，并且在反向偏压下电流水平增加。线性证明结处光生载流子的漂移是主要的光电检测机制，表面效应的贡献可以忽略不计。这些结果表明，基于纳米线的光电探测器的独特性能可以通过可扩展且低成本的制造工艺进行评估。
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更新日期：2023-07-18
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