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用于高效电磁屏蔽的多层超薄 MXene@AgNW@MoS2 复合膜
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-01-20 , DOI: 10.1021/acsami.2c18759 Youqiang Xing 1, 2 , Yizhi Wan 1 , Ze Wu 1 , Jianqiao Wang 1 , Songlong Jiao 1 , Lei Liu 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-01-20 , DOI: 10.1021/acsami.2c18759 Youqiang Xing 1, 2 , Yizhi Wan 1 , Ze Wu 1 , Jianqiao Wang 1 , Songlong Jiao 1 , Lei Liu 1
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结构和材料成分对于实现高电磁干扰 (EMI) 屏蔽效能 (SE) 至关重要。在此,超薄 MXene@AgNW@MoS 2通过真空辅助抽滤工艺和原子层沉积 (ALD) 工艺制备出类似于五花肉结构并具有出色 EMI 屏蔽性能的 (MAM) 复合薄膜。交错排列的 AgNW 形成骨架并散布在 MXene 片中以构建具有三维网络结构的掺杂层,从而提高薄膜的导电性。基于 Ag 在掺杂层和单层中的最佳分散浓度,MXene/AgNW 掺杂层和 AgNW 单层交替进行真空辅助过滤,以获得具有多个异质界面的层状结构。这些界面会产生界面极化并增加多次反射和散射,从而导致电磁 (EM) 波损耗增加。另一方面,MoS 2ALD精密制备的外层纳米层,有效提高了电磁波的吸收比例,减少了二次反射,提高了EMI屏蔽性能的稳定性。最终,具有五个交替内层和 MoS 2外层的超薄 MAM 薄膜(厚度为 0.03 毫米)在 X 波段表现出 86.3 dB 的出色 EMI SE。
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更新日期:2023-01-20
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