探索非常规 Si@MoS2 核壳结构的光学响应和局部介电函数,Nano Letters

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探索非常规 Si@MoS2 核壳结构的光学响应和局部介电函数
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2022-06-08 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c01221
Yea-Shine Lee ₁ , Sina Abedini Dereshgi ₂ , Shiqiang Hao ₁ , Matthew Cheng ₁ , Muhammad Arslan Shehzad _{1,

3} , Christopher Wolverton ₁ , Koray Aydin ₂ , Roberto Dos Reis _{1,

3,

4} , Vinayak P Dravid _{1,

3,

4}

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光腔和量子发射器的异质结构已被强调以增强光与物质的相互作用。硅纳米球核和 MoS ₂壳结构是一种称为核@壳结构的异质结构。然而，合成的复杂性和局部探测该架构的固有困难导致缺乏有关其局部特征的信息，从而限制了其进展。_{在这里，我们利用价电子能量损失谱 (VEELS) 来提取具有纳米级空间分辨率的 Si@MoS 2}的空间分辨介电函数，并通过模拟得到证实。_{Si@MoS 2}的混合电子临界点约为 3.8 eV. Si/MoS ₂界面处的介电函数用横截面核壳进一步探测，以评估每个组分的贡献。可以通过介电函数定义各种光学参数。因此，本文报道的介电功能的方法和演变为探索其他复杂的光子纳米结构提供了平台。

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更新日期：2022-06-08

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