A millimeter-wave (MMW) variable-gain power amplifier (VGPA) with $P_{\mathrm {1\,dB}}$ improvement technique is proposed. The proposed VGPA consists of a postdistortion power amplifier (PDPA) and a variable-gain amplifier (VGA), for realizing high output power 1-dB compression point ( $P_{\mathrm {1\,dB}}$ ) and variable gain, respectively. To improve the $P_{\mathrm {1\,dB}}$ performances, a postdistortion technique with peaking-mode gain response shaping is proposed. This new approach has less amplitude-to-amplitude (AM–AM) distortion. Fabricated in 65-nm CMOS process, the proposed VGPA achieves 16-dBm output $P_{\mathrm {1\,dB}}$ with 29.5% power added efficiency (PAE) and 16.7-dBm saturated output power ( $P_{\mathrm {sat}}$ ) with 34% peak PAE. The maximum gain reaches 33.1 dB with 3-dB bandwidth from 23.1 to 29 GHz and 31.1-dB dynamic range of gain adjustment.

中文翻译：

---

65 纳米 CMOS 中采用 P₁ dB 改进技术的毫米波可变增益功率放大器

毫米波 (MMW) 可变增益功率放大器 (VGPA)，具有 $P_{\mathrm {1\,dB}}$提出了改进技术。所提出的 VGPA 由一个后失真功率放大器（PDPA）和一个可变增益放大器（VGA）组成，用于实现高输出功率 1-dB 压缩点（ $P_{\mathrm {1\,dB}}$ ）和可变增益，分别。为了提高 $P_{\mathrm {1\,dB}}$性能，提出了一种具有峰值模式增益响应整形的后失真技术。这种新方法具有更小的幅度到幅度 (AM–AM) 失真。所提出的 VGPA 采用 65 纳米 CMOS 工艺制造，可实现 16 dBm 输出 $P_{\mathrm {1\,dB}}$具有 29.5% 的功率附加效率 (PAE) 和 16.7-dBm 饱和输出功率 ( $P_{\mathrm {卫星}}$ ) 具有 34% 的峰值 PAE。最大增益达到 33.1 dB，具有从 23.1 到 29 GHz 的 3 dB 带宽和 31.1 dB 的增益调整动态范围。