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Direct Optical Patterning of Quantum Dot Light‐Emitting Diodes via In Situ Ligand Exchange
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2020-10-01 , DOI: 10.1002/adma.202003805 Himchan Cho 1 , Jia‐Ahn Pan 1 , Haoqi Wu 1 , Xinzheng Lan 1, 2 , Igor Coropceanu 1 , Yuanyuan Wang 1, 3 , Wooje Cho 1 , Ethan A. Hill 1 , John S. Anderson 1 , Dmitri V. Talapin 1, 4
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2020-10-01 , DOI: 10.1002/adma.202003805 Himchan Cho 1 , Jia‐Ahn Pan 1 , Haoqi Wu 1 , Xinzheng Lan 1, 2 , Igor Coropceanu 1 , Yuanyuan Wang 1, 3 , Wooje Cho 1 , Ethan A. Hill 1 , John S. Anderson 1 , Dmitri V. Talapin 1, 4
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Precise patterning of quantum dot (QD) layers is an important prerequisite for fabricating QD light‐emitting diode (QLED) displays and other optoelectronic devices. However, conventional patterning methods cannot simultaneously meet the stringent requirements of resolution, throughput, and uniformity of the pattern profile while maintaining a high photoluminescence quantum yield (PLQY) of the patterned QD layers. Here, a specially designed nanocrystal ink is introduced, “photopatternable emissive nanocrystals” (PENs), which satisfies these requirements. Photoacid generators in the PEN inks allow photoresist‐free, high‐resolution optical patterning of QDs through photochemical reactions and in situ ligand exchange in QD films. Various fluorescence and electroluminescence patterns with a feature size down to ≈1.5 µm are demonstrated using red, green, and blue PEN inks. The patterned QD films maintain ≈75% of original PLQY and the electroluminescence characteristics of the patterned QLEDs are comparable to thopse of non‐patterned control devices. The patterning mechanism is elucidated by in‐depth investigation of the photochemical transformations of the photoacid generators and changes in the optical properties of the QDs at each patterning step. This advanced patterning method provides a new way for additive manufacturing of integrated optoelectronic devices using colloidal QDs.
中文翻译:
通过原位配体交换对量子点发光二极管进行直接光学图案化
量子点(QD)层的精确图案化是制造QD发光二极管(QLED)显示器和其他光电设备的重要前提。然而,常规的图案化方法不能同时满足图案轮廓的分辨率,产量和均匀性的严格要求,同时保持图案化QD层的高光致发光量子产率(PLQY)。在这里,介绍了一种专门设计的纳米晶体油墨,即“可光图案化的发射纳米晶体”(PEN),它可以满足这些要求。PEN油墨中的光致产酸剂可通过光化学反应和QD薄膜中的原位配体交换,对QD进行无光刻胶的高分辨率光学构图。使用红色,绿色,和蓝色PEN墨水。图案化的QD薄膜保持原始PLQY的≈75%,且图案化的QLED的电致发光特性可与非图案化控制设备的灯头媲美。通过深入研究光酸产生剂的光化学转化以及每个构图步骤中QD的光学性质的变化,阐明了构图机理。这种先进的构图方法为使用胶体量子点增材制造集成光电器件提供了新途径。通过深入研究光酸产生剂的光化学转化以及每个构图步骤中QD的光学性质的变化,阐明了构图机理。这种先进的构图方法为使用胶体量子点增材制造集成光电器件提供了新途径。通过深入研究光酸产生剂的光化学转化以及每个构图步骤中QD的光学性质的变化,阐明了构图机理。这种先进的构图方法为使用胶体量子点增材制造集成光电器件提供了新途径。
更新日期:2020-11-17
中文翻译:
通过原位配体交换对量子点发光二极管进行直接光学图案化
量子点(QD)层的精确图案化是制造QD发光二极管(QLED)显示器和其他光电设备的重要前提。然而,常规的图案化方法不能同时满足图案轮廓的分辨率,产量和均匀性的严格要求,同时保持图案化QD层的高光致发光量子产率(PLQY)。在这里,介绍了一种专门设计的纳米晶体油墨,即“可光图案化的发射纳米晶体”(PEN),它可以满足这些要求。PEN油墨中的光致产酸剂可通过光化学反应和QD薄膜中的原位配体交换,对QD进行无光刻胶的高分辨率光学构图。使用红色,绿色,和蓝色PEN墨水。图案化的QD薄膜保持原始PLQY的≈75%,且图案化的QLED的电致发光特性可与非图案化控制设备的灯头媲美。通过深入研究光酸产生剂的光化学转化以及每个构图步骤中QD的光学性质的变化,阐明了构图机理。这种先进的构图方法为使用胶体量子点增材制造集成光电器件提供了新途径。通过深入研究光酸产生剂的光化学转化以及每个构图步骤中QD的光学性质的变化,阐明了构图机理。这种先进的构图方法为使用胶体量子点增材制造集成光电器件提供了新途径。通过深入研究光酸产生剂的光化学转化以及每个构图步骤中QD的光学性质的变化,阐明了构图机理。这种先进的构图方法为使用胶体量子点增材制造集成光电器件提供了新途径。