显示省略 本次审查重点介绍用于图案转移的单/多层抗蚀剂的 EBL。在纳米电子器件、纳米光子结构和纳米结构中的应用。10 EBL 抗蚀剂进行了审查，包括 PMMA、UVI、ZEP、UVN-30、HSQ、SU-8 等.聚焦电子束也应用于材料的表面改性。本综述涵盖了基于电子束光刻 (EBL) 为纳米电子器件、纳米光子超材料和其他纳米结构开发的各种纳米制造技术。与之前的出版物不同，这篇评论特别关注如何应用 EBL 抗蚀剂的特性来构建多层堆叠以实现图案转移。首先介绍最常用的抗蚀剂及其光刻性能，其次是对多层抗蚀剂进行分类，以完成纳米制造中的各种任务。特别是，用于高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的 T 形栅极、单电子隧道晶体管 (SET) 中的金属隧道结 (MTJ)、用于光学超材料的手性结构和光子晶体、用于 NIL 的模板和用于纳米级反应离子蚀刻的蚀刻掩模。 RIE) 进行了审查。在工艺开发的描述中，同时描述了这些制造的纳米结构背后的科学进步。通过这种方式，本综述旨在表明纳米制造技术的发展对于整个纳米科学的快速发展至关重要。综述了单电子隧道晶体管 (SET) 中的金属隧道结 (MTJ)、用于光学超材料的手征结构和光子晶体、用于 NIL 的模板和用于纳米级反应离子蚀刻 (RIE) 的蚀刻掩模。在工艺开发的描述中，同时描述了这些制造的纳米结构背后的科学进步。通过这种方式，本综述旨在表明纳米制造技术的发展对于整个纳米科学的快速发展至关重要。综述了单电子隧道晶体管 (SET) 中的金属隧道结 (MTJ)、用于光学超材料的手征结构和光子晶体、用于 NIL 的模板和用于纳米级反应离子蚀刻 (RIE) 的蚀刻掩模。在工艺开发的描述中，同时描述了这些制造的纳米结构背后的科学进步。通过这种方式，本综述旨在表明纳米制造技术的发展对于整个纳米科学的快速发展至关重要。



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