在本文中，我们首次研究了基于硅的低掺杂漏极 (LDD) SOI-FinFET 的性能，并将其与用于在逻辑电路中实现的传统 FinFET 进行了比较。众所周知，在三栅 FinFET 中使用传统 LDD 技术会降低漏极区附近的电场和热载流子效应，但代价是降低了 LDD MOSFET 中报告的电流驱动能力。我们观察到漏区附近的峰值电场减少了 15%，随后电子速度也随之降低。我们提出了一种半解析方法来模拟所提议的 FinFET 结构的栅极电容、漏极电流、沟道电位和亚阈值斜率。使用 TCAD Sentaurus 工具对三种不同通道长度的 3D 模拟结果用于验证计算结果。对 LDD-FinFET 进行直流分析，并将结果与​​传统 FinFET 器件在阈值电压、跨导和 $$I_{\text {ON}}/I_{\text {OFF}}$$ 比率方面进行比较。电容模型用于研究所提出器件的亚阈值摆幅和电流驱动能力。除此之外，还进行了使用 SOI LDD-FinFET 的 CMOS 反相器的电压传输特性和开关特性等电路级分析。本文中提出的结果可用于设计低功耗数字应用，以满足高开关速度、高增益和最小功耗的要求。对 LDD-FinFET 进行直流分析，并将结果与​​传统 FinFET 器件在阈值电压、跨导和 $$I_{\text {ON}}/I_{\text {OFF}}$$ 比率方面进行比较。电容模型用于研究所提出器件的亚阈值摆幅和电流驱动能力。除此之外，还进行了使用 SOI LDD-FinFET 的 CMOS 反相器的电压传输特性和开关特性等电路级分析。本文中提出的结果可用于设计低功耗数字应用，以满足高开关速度、高增益和最小功耗的要求。对 LDD-FinFET 进行直流分析，并将结果与​​传统 FinFET 器件在阈值电压、跨导和 $$I_{\text {ON}}/I_{\text {OFF}}$$ 比率方面进行比较。电容模型用于研究所提出器件的亚阈值摆幅和电流驱动能力。除此之外，还进行了使用 SOI LDD-FinFET 的 CMOS 反相器的电压传输特性和开关特性等电路级分析。本文中提出的结果可用于设计低功耗数字应用，以满足高开关速度、高增益和最小功耗的要求。和 $$I_{\text {ON}}/I_{\text {OFF}}$$ 比率。电容模型用于研究所提出器件的亚阈值摆幅和电流驱动能力。除此之外，还进行了使用 SOI LDD-FinFET 的 CMOS 反相器的电压传输特性和开关特性等电路级分析。本文中提出的结果可用于设计低功耗数字应用，以满足高开关速度、高增益和最小功耗的要求。和 $$I_{\text {ON}}/I_{\text {OFF}}$$ 比率。电容模型用于研究所提出器件的亚阈值摆幅和电流驱动能力。除此之外，还进行了使用 SOI LDD-FinFET 的 CMOS 反相器的电压传输特性和开关特性等电路级分析。本文中提出的结果可用于设计低功耗数字应用，以满足高开关速度、高增益和最小功耗的要求。



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