以下文献对缺陷形成能，形成焓及化学势计算有清楚的描述：

参考文献：Tang, C.;  Zhang, L.;  Wijethunge, D.;  Ostrikov, K. K.; Du, A., Controllable Polarization and Doping in Ferroelectric In2Se3 Monolayers and Heterobilayers via Intrinsic Defect Engineering. The Journal of Physical Chemistry C 2021.

缺陷形成能的计算公式：如下：

注意：此公式中的miu为原子化学势，不通过计算单原子能量获得；

元素化学势受限于以下形成焓公式，形成焓本身可以通过计算相应块体能量获得。通过调节任意一个元素的化学势，就能得到另一个元素的化学势，再代入上面缺陷形成能公式，就可以得到缺陷形成能与元素化学势的变化关系。