汇报人简介：

刘川，中山大学教授。在清华大学和英国剑桥大学分别获得学士和博士。曾于日本国立物质材料研究机构(NIMS)、韩国东国大学工作。现工作于中山大学的电子与信息工程学院、光电材料与技术国家重点实验室。主要研究半导体材料和原理（有机和氧化物半导体）、薄膜晶体管制备和器件物理、印刷电子元件与电路。研究由国家自然科学基金优秀青年基金、广东省自然科学杰出青年基金、广东省应用研发专项等资助。获2017年英国物理学会IOP出版社期刊颁发的青年人员研究奖（Best Early Career Award）、2018年韩国信息显示协会金奖（Korean Information Display Society KIDS Award, Gold）。入选国家自然科学基金优秀青年、省级自然科学杰出青年、青年珠江学者、科技创新青年拔尖人才项目等。任国际SCI期刊Semiconductor Science and Technology编委、Journal of the Society for Information Display副编辑、第13届国际薄膜晶体管会议(International Thin-Film Transistor Conference 2018)执行主席。指导博士生毕业论文获2020中国电子学会集成电路一等奖学金。

报告题目：薄膜晶体管的器件物理和制备方法研究

报告摘要：有机半导体和氧化物半导体的优势是很明显的，即可通过较低温度甚至是溶液法制备薄膜器件，且具有耐弯折性。但二者也有共同的缺点，即晶体结构的无序性导致大量缺陷态的出现。这导致薄膜晶体管的电荷注入和电荷传输的机制，都与共价键硅基半导体器件有显著的区别。本报告将从材料、制备、器件三方面，初步讨论缺陷态对薄膜晶体管的影响和分析，以及从材料和制备的角度，调控缺陷态、提高器件性能的一些探索。