教育背景

2019年6月  山东大学    应用物理专业          理学学士

2024年6月  山东大学    微电子学与固体电子学专业  工学博士

工作经历

讲师

2024.09至今       天津理工大学，集成电路科学与工程学院

研究方向

宽禁带半导体外延工艺研究、卤化物气相外延设备研发、紫外光电探测器

发表文章 

[1] CHEN R, WANG D, HAN X, et al. Self-powered deep ultraviolet PIN photodetectors with excellent response performance based on Ga₂O₃ epitaxial films grown on p-GaN [J]. Appl Phys Lett, 2023, 123(8).

[2] CHEN R, WANG D, LIU J, et al. Ta-Doped Ga₂O₃ Epitaxial Films on Porous p-GaN Substrates: Structure and Self-Powered Solar-Blind Photodetectors [J]. Cryst Growth Des, 2022, 22(9): 5285-5292.

[3] CHEN R, ZHU H, HAN X, et al. Fabrication, properties, and photodetector of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/GaN heteroepitaxial films grown by MOCVD [J]. Ceram Int, 2024, 50(6): 9363-9371.

[4] CHEN R, WANG D, FENG B, et al. High responsivity self-powered DUV photodetectors based on β-Ga₂O₃/GaN heterogeneous PN junctions [J]. Vacuum, 2023, 215: 112332.

[5] CHEN R, LIU J, FENG B, et al. Pores in p-type GaN by annealing under nitrogen atmosphere: formation and photodetector [J]. J Mater Sci, 2022: 467-476.

[6] CHEN R, ZHAO C, LUAN C, et al. High crystal quality β-Ga₂O₃ epitaxial films grown on porous n-GaN substrates [J]. Mater Sci Semicond Process, 2023, 168.

参与项目 

1.国家自然科学基金面上项目，“大面积可转移Beta-氧化镓单晶薄膜的制备及性质研究”，参与，经费金额：63万元，项目号：61874067；

2.山东省自然科学基金项目，“可转移的、稀土元素掺杂的Beta-氧化镓基发光二极管的制备及性能研究”，参与，经费金额：20万元，项目号：ZR2019MF042；

3.山东省重点研发计划，“可用于下一代光电器件的Beta-氧化镓单晶薄膜的制备及性质研究”，参与，经费金额：20万元，项目号：2018GGX102024；

4.“氧化镓/砷化镓异质结型紫外/红外双波段光电探测器的研制”，北京大学深圳研究生院广东省纳米微米材料研究重点实验室开放课题，参与，3万。

奖项和荣誉 

1. 2023年获山东大学博士研究生国家奖学金