硅基外延III-V族（或II-VI族）半导体可结合硅材料与III-V（或II-VI）半导体的优点，是太阳能电池、太阳能光电水解、集成光子等应用领域的理想材料之一，受到国内外研究人员普遍关注和研究。反相畴界缺陷是硅基外延III-V（或II-VI）半导体中一种主要的晶体缺陷。陈老师及合作者研究发现一向被认为是有害的反相畴界缺陷本身其实具有很多奇特的物理性能。主要分为n型和p型两种类型，而且在外加应力下，其费米能级可发生移动，有望实现n型与p型电子掺杂性能的奇妙转变。这对于新型高效光电子器件的设计与开发具有重要的指导意义。