魏文娅博士长期从事二维材料生长催化刻蚀过程和光电输运性质调控的理论研究，取得了一系列创新性的科研成果：（1）研究发现不同堆垛双层C3N具有丰富的光电性质，为碳基纳米材料在电子器件领域的应用提供了新的选择；（2）对过渡金属镍催化刻蚀六方氮化硼形成纳米凹槽的过程开展了详细地热力学和动力学的研究，提出改变氢气分压和温度可以实现锯齿型和扶手型边界的选择性刻蚀，；（3）揭示不同角度锗Ge（001）高指数台阶面生长两种取向和单一取向石墨烯的生长机制。魏文娅博士曾在韩国蔚山科学技术院和澳洲昆士兰大学进行两年半的访学，近五年以第一作者/共同一作的身份分别在Nature Electronics和Nano Today上发表论文两篇，以共同作者身份在Nature Materials，Chinese Chemical Letters上发表论文两篇。