近日，凝聚态物理旗舰期刊Physical Review B（Phys. Rev. B）在线发表了湖北汽车工业学院微纳结构与量子器件团队彭坦博士题为“Higher-order topological Anderson amorphous insulator”的研究成果。论文主要讨论了二维非晶中无序诱导的高阶拓扑相变。团队负责人熊永臣教授、武汉大学王自昱教授及熊锐教授为论文的共同通讯作者。

      最近，山西大学张磊课题组研究发现二维非晶中安德森无序可以诱导产生拓扑安德森非晶绝缘体。然而，安德森无序与非晶高阶拓扑的相互作用尚不明确。在本研究中，我们探讨了安德森无序对非晶高阶拓扑相的影响。研究表明，非晶高阶拓扑态对弱无序具有鲁棒性，但在强无序下会被破坏。此外，安德森无序会引起从拓扑平庸的非晶绝缘体相到拓扑非平庸的非晶高阶拓扑绝缘体相的相变，该高阶拓扑态被称为高阶拓扑安德森非晶绝缘体，可以用量子化的四极矩和拓扑角态刻画。