在层状MAX 相陶瓷 (Ti₃AlC₂)气相刻蚀中，利用1,1-二氟乙烷（HFC-152a）气体在300 ^oC刻蚀作用，合成得到了具有单原子层厚度的氟化铝。在刻蚀过程中，部分Ti层以挥发性的TiF₄除去，剩余被氟化为TiF₃. Ti层的刻蚀有助于中间Al层的暴露和氟化。刻蚀后催化剂比表面积提高了近80倍。

Ø  借鉴半导体工业的芯片制作，本研究首次尝试利用含氟气体的刻蚀技术应用于催化剂制备。

Ø  以层状MAX 相陶瓷 (Ti₃AlC₂)为前驱体，利用1,1-二氟乙烷（HFC-152a）气体在300 ^oC刻蚀作用，合成得到了具有单原子层厚度的氟化铝。

Ø  在刻蚀过程中，部分Ti层以挥发性的TiF₄除去，剩余被氟化为TiF₃. Ti层的刻蚀有助于中间Al层的暴露和氟化。刻蚀后催化剂比表面积提高了近80倍。

Ø  刻蚀后，TiF₃和AlF₃形成的界面有助于AlF₃原子层的稳定及作为脱HF反应的活性中心氟缺陷的形成。

Ø  在反应温度300 ^oC及GHSV为600 h^-1的条件下，刻蚀后的MAX其活性是氟化γ-Al₂O₃的3倍。