硕士生胡冰洁文章“Graphene Quantum Dot Mediated Atom-Layer Semiconductor Electrocatalyst for Hydrogen Evolution”被《Nano-Micro Letters》（中科院1区，IF=26.6）接收发表！
二硫化钼（MoS2）是研究最广泛的过渡金属二硫族化物，由于其成本低、储量丰富且无毒，已成为替代商用铂基催化剂的主要竞争者。与粉体二硫化钼不同，近单层2H-二硫化钼纳米片（2H-MoS2 NSs）因其高比表面积和高表面活性而备受关注，使其成为催化析氢反应（HER）的有吸引力的候选材料。然而，2H-MoS2 NSs的HER能力目前仍有限。因此，迫切需要发展一种在温和条件下制备近原子层2H-二硫化钼的方法，以揭示其物化性质和电催化应用。
（1）本文报道了一种新型的二硫化钼纳米片（ALQD@SO3）诱导合成机制。通过理论计算预测可能增强粉末MoS2的HER催化活性的功能化石墨烯量子点（GQDs）。
（2）一种功能化GQDs诱导的原位自下而上的策略用于制备近原子层2H-MoS2 NSs。实验结果表明，在ALQD的合成过程中引入的一系列功能化GQDs起着至关重要的作用。
（3）GQDs上吸电子官能团的浓度和强度越高，得到的ALQD就越薄且具有更优的HER活性。
该GQDs诱导策略为拓展二硫化钼的催化应用提供了一种简单有效的方法，也为其他过渡金属二硫族化物材料的开发应用提供了思路。
文章链接：https://link.springer.com/article/10.1007/s40820-023-01182-7