个人简历：
2011年获南京航空航天大学学士学位，2014年获南京大学硕士学位，2018年获新加坡国立大学博士学位，2019-2022年在新加坡国立大学物理系和二维材料研究中心从事博士后研究工作，2022年加入中国科学院苏州纳米所，任项目研究员。
主要从事二维材料光谱学和二维半导体光电器件研究，特别是基于范德华异质结的新型光源器件构筑与调控。迄今在Nature Nanotechnology, Advanced Materials, Nano Letters等国际学术期刊发表SCI论文30余篇，入选中国科学院“率先行动”引才计划并获择优支持，作为负责人主持国家自然科学基金面上项目等。
研究方向：
1. 低维材料光谱学；
2. 二维半导体激子发光器件；
3. 新型半导体光电器件与集成。
招生信息：
招生方向：微电子与固体电子学、物理、光学、材料科学与工程等。
实验团队拥有融洽的氛围，良好的实验条件，配备多种光电器件测试设备，并在所内外有广泛的实验合作平台。欢迎感兴趣的本科生、研究生和博士后联系加入实验室。
个人邮箱：jywang2022@sinano.ac.cn
论文专著：
1. Wang, J.; Zhou, Y. J.; Xiang, D.; Ng, S. J.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Eda, G., Polarized light‐emitting diodes based on anisotropic excitons in few‐layer ReS2. Advanced Materials 2020, 32 (32), 2001890.
2. Wang, J.; Lin, F.; Verzhbitskiy, I.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Martin, J.; Eda, G., Polarity tunable trionic electroluminescence in monolayer WSe2. Nano Letters 2019, 19 (10), 7470-7475.
3. Wang, J.; Verzhbitskiy, I.; Eda, G., Electroluminescent devices based on 2D semiconducting transition metal dichalcogenides. Advanced Materials 2018, 30 (47), 1802687.
4. Wang, S.#; Wang, J. #; Zhao, W.; Giustiniano, F.; Chu, L.; Verzhbitskiy, I.; Zhou Yong, J.; Eda, G., Efficient carrier-to-exciton conversion in field emission tunnel diodes based on MIS-type van der Waals heterostack. Nano Letters 2017, 17 (8), 5156-5162. （# contribute equally）
5. Wang, J. ; Luo, X. ; Li, S.; Verzhbitskiy, I.; Zhao, W.; Wang, S.; Quek, S. Y.; Eda, G., Determination of crystal axes in semimetallic T’-MoTe2 by polarized Raman spectroscopy. Advanced Functional Materials 2017, 27 (14), 1604799.
6. Guo, Q.; Qi, X.-Z.; Gao, M.; Hu, S.; Zhang, L.; Zhou, W.; Zang, W.; Zhao, X.; Wang, J.; Yan, B. et al. Ultrathin Quantum Light Source with van der Waals NbOCl2 crystal. Nature 2023, 613, 53–59.
7. Kumar, D.; Hsu, C.-H.; Sharma, R.; Chang, T.-R.; Yu, P.; Wang, J.; Eda, G.; Liang, G.; Yang, H., Room-temperature nonlinear Hall effect and wireless radiofrequency rectification in Weyl semimetal TaIrTe4. Nature Nanotechnology 2021, 1-5.