在12月10日举行的第65届国际电子器件大会（IEDM，International Electron Device Meeting）上，复旦大学微电子学院硕士生李家意作为第一作者宣读了论文《2晶体管2负载组成的高面积效率低功耗静态存储器》（“Highly Area-Efficient Low-Power SRAM Cell with 2 Transistors and 2 Resistors”），介绍了在复旦完成并验证的目前世界上组成单元最少的静态随机存储器（SRAM，Static random access memory）。

SRAM一般应用于先进计算的高速缓存中，但由于需要6个晶体管（或4个晶体管加2个负载）才能实现基本功能，集成度低，功耗大，限制了应用前景。微电子学院周鹏教授课题组与香港理工大学柴杨教授课题组合作，在前期提出的原始创新双表面沟道晶体管的基础上（Nature Nanotechnology，14,662,2019），充分发挥原子晶体本征优势，利用2个晶体管、2个负载电阻实现了完整功能的SRAM器件，在同等技术节点下可节省晶圆面积33%并远远低于目前不同器件功耗。同时，由于该器件实现了独立的读、写操作，可以促进SRAM在存内计算的创新应用，提供存算一体的新路径。

论文的研究工作得到了国家自然科学基金杰出青年科学基金、优秀青年科学基金、应急重点项目及上海市集成电路重点专项等项目的资助，以及复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室的支持。

IEDM是微电子器件领域的国际顶级会议，是国际学术界和顶尖半导体公司的研发人员发布先进成果和最新进展的重要窗口，是器件展示应用前景标尺的重要平台，在国际半导体技术界具有广泛的影响力。