挠曲电效应（Flexoelectricity）是一种由梯度应变产生的电极化效应，是近年来逐渐发展起来、具有重要传感和驱动应用潜质的新型机电耦合效应。与压电效应不同，挠曲电效应具有不受晶体对称性限制、以及小尺寸效应（即尺寸越小效应越强）等优点。自上世纪60年代开始，有关挠曲电的研究大都集中在金属氧化物体系，关于半导体中的挠曲电性能逐渐受到研究者的关注。近日，南昌大学舒龙龙、柯善明教授课题组发现卤化钙钛矿（MAPbX3, MA=CH3NH3, X=Cl, Br）材料中巨大的光挠曲电效应，研究成果发表在《自然•材料》。
论文信息：
Photoflexoelectric effect in halide perovskites. Longlong Shu*, Shanming Ke, Linfeng Fei, Wenbin Huang, Zhiguo Wang, Jinhui Gong, Xiaoning Jiang, Li Wang, Fei Li, Shuijin Lei, Zhenggang Rao, Yangbo Zhou, Renkui Zheng, Xi Yao, Yu Wang, Massimiliano Stengel, Gustau Catalan*. Nature Materials 19, 605-609 (2020).
