简化的平面结构钙钛矿太阳能电池（PSCs）迅速发展，其中电子传输层（ETL）是高效率器件的关键部分之一。作为PSCs应用最广泛的ETL之一，二氧化锡（SnO2）ETL通常在150°C左右热退火获得，这使得制备过程复杂化，限制了PSCs对热敏柔性衬底的应用。本文首次采用无退火工艺负压蒸发（NPE）法，在室温下1分钟内从广泛使用的商用SnO2胶体中快速制备SnO2ETL（NPE-SnO2）。与传统的热退火（A-SnO2）相比，本文开发的NPE工艺显著改善了SnO2层的表面形貌和电导率。详细的表征表明，氧空位增加和羟基缺陷减少有助于NPE-SnO2的电导率提高和PSC的界面复合减少。因此，基于NPE-SnO2的PSC的填充因子（FF）提高了82.33%，器件转化效率提高到23.07%，这是基于免退火SnO2电池器件的最高值。综上所述，负压蒸发法（NPE）是一种通用技术，可在1 min内从湿膜获得高质量的半导体薄膜，并开辟了无需热退火即可制备PSCs功能层的可能性。

相关技术已申请发明专利：李跃龙，王棚，亓文静，李雅萌，一种室温负压蒸发制备钙钛矿太阳电池的方法, 中国发明专利，申请号202110607058.2（2021.06.01）

论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaem.3c00505