厉昊和杨建港研究论文被国际知名期刊Small（IF=13.3）接收！
发布时间：2023-10-16
硼烯是一种有前景的材料，在电子器件、能量存储和传感器方面具有潜在的应用前景。通过分子束外延已在 Ag(111)、Cu(111) 和 Au(111) 表面成功生长单层硼烯。 二维（2D）硼烯在Ag（111）和Au（111）上的生长被认为分别通过表面吸附和硼偏析发生。 然而，硼烯在 Cu(111) 上的生长模式仍不清楚。 为了阐明这一点，使用扫描隧道显微镜结合理论计算来研究退火后处理下硼纳米结构的相变。 结果表明，通过提高基底温度，硼纳米结构经历了从非晶态硼到粘附在Cu<11̅0>台阶边缘的条状相硼烯(η=1/6)的演化，最后到不规则形状的β型硼烯( η=5/36) 位于基板表面或嵌入最顶层的铜层中。 硼烯/铜横向界面附近记录的 dI/dV 谱表明，条纹相硼烯是亚稳态相，需要更多的屈曲和电子转移来稳定晶体结构。 这些发现不仅提供了对 Cu(111) 表面上 β 型硼烯形成的深入理解，而且还具有在具有一维活性缺陷的弱结合半导体或绝缘基底上合成硼烯的潜力。
该科研成果以“Monolayer Borophene Formation on Cu(111) Surface Triggered by <1-10> Step Edge”为题发表在Small上。武汉大学硕士生厉昊是论文第一作者，博士生杨建港为共同一作，河南大学马亚平特聘教授、南方科技大学王克东教授和武汉大学肖旭东教授是论文通讯作者。该研究工作受到河南大学高层次启动经费、武汉大学启动经费和广东省基础与应用基础研究基金等项目的资助。