电场调控的阻变是有望在集成现场电路中实现非易失性、低功耗和高密度存储。申澳莉制备、实现了碲/铁电 PMN-PT 异质结中纳米裂纹诱发的可逆阻变现象。室温下非易失性电阻通断比达到10^6以上。这项工作在半导体薄膜/铁电异质结系统中构建了一个“机械开关”的模型。相关工作在APL在线发表。Applied Physics Letters, 124, 132904 (2024)