吴江滨，男，博士，研究员，博士生导师。

1990年生。2012年毕业于华中科技大学电子科学与技术系，2017年在中国科学院半导体研究所获得博士学位，2017-2023年在美国南加州大学任博士后，2023年加入中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，任研究员，入选国家青年海外高层次人才计划和中科院青年高层次人才计划。以（共同）一作和通讯作者在 Nature, Nature Electronics, Nature Communications, Chemical Society Reviews, Advanced Materials (2篇), ACS Nano(4篇), Nano Letters (2篇)和IEDM等一流期刊或微电子顶级会议发表文章20篇，被引用超过8900次， H-index为33（谷歌学术），申请美国专利一项。获得2018年中科院优秀博士论文和2016年中科院院长奖（优秀奖）等。

主要的研究兴趣主要集中在基于低维材料的光电学性质和新原理器件。