中南大学物理学院柔性印刷电子课题组在国际期刊ACS Applied Electronic Materials发表了题为“van der Waals Epitaxial Growth of Centimeter-Scale CdTe Thin Films for High-Performance Photodetectors”的论文，课题组23级硕士生刘扬阳为论文第二作者（导师第一作者），代国章副教授与阳军亮教授为论文通讯作者。

论文简介：II - VI 族半导体碲化镉（CdTe）因其高吸收系数和良好的化学稳定性，在光电器件中得到广泛应用。在这项工作中，通过气相传输法在云母衬底上利用范德华异质外延合成了厘米级的CdTe薄膜，通过水辅助剥离方式构建了平面结构的CdTe表面/掩埋界面薄膜光电探测器。结果表明，在 406、642 和 808 nm 波长的光照射下，基于 CdTe 掩埋界面构建的光电探测器性能更为优秀，其开关比可达 2×10⁴ ，响应率为 4.4 A/W，响应时间短至 1.5 ms。光滑的界面形态以及大面积平整致密的表面有利于载流子传输，从而展现出更优的性能。此外，通过将CdTe转移到聚对苯二甲酸乙二酯（PET）衬底上构建的柔性光电探测器，展现出优异的柔韧性和稳定性，在曲率半径为 5 mm的情况下弯曲 200 多次后仍能保持 96.5% 的初始性能。该研究表明，通过范德华外延生长制备的具有掩埋界面的高质量厘米级 CdTe及其高性能光电探测器，为光电器件的开发和研究提供了创新的掩埋界面视角。

论文链接：https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c01754