2024年4月28日 我院邀请复旦大学芯片与系统前沿技术研究院青年副研究员张续猛就神经形态器件及电路、类脑

算法及系统应用方面给同学们来一场深度的学习交流，基于忆阻器的类脑计算技术为发展类脑智能系统提供了

变革性的技术路线，是当前类脑计算领域的研究前沿之一。设计实现高密度、高能效、功能完备的忆阻器神经元电

路是构建忆阻器基类脑系统的关键。NbO,基神经元器件，具有高生物动力学、低功耗、以及高稳定性等特点，被认

为是构建紧凑神经元电路的理想单元之一。在本次报告中，将介绍我们近期在NbO,基神经元器件性能优化以及高仿

生H-H神经元电路方面的研究进展，讨论构建H-H神经元电路的原理及对不同放电模式的应用探索。最后，进行总结

与展望。

张续猛，复旦大学芯片与系统前沿技术研究院，青年副研究员，2020年博士毕业于中国科学院微电子研究所，主要研究方向是神经形态器件及电路、类脑算法及系统应用。目前以第一/通讯作者(含共同)在Nat.Mater.、Nat.Commu.、Adv, Mater.、IEEE EDL、IEEETED、IEDM等领域内顶级期刊/会议上发表论文21篇其中2篇为ESI高被引论文，1篇为ESI热点论文，google学术引用3400余次，H指数30。主持了国家自然科学基金面上/青年、博后特助/面上等项目;曾获中科院"院长特别奖"、上海脑中心"求索杰出青年"、中科院"百篇优博论文"等荣誉/奖项。